PIN ダイオード製品一覧

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  • アキシャルリードパッケージ一覧表
    データ
    シート
    品名 概要 特長 用途 VR Rfs(typ) Ct(typ) 許容
    損失
    環境
    対応
    (パッケージ)   condition   condition
     

    ラジオBC帯から1GHzにおける電流制御の可変抵抗減衰器用に設計されたLong Carrier LifetimeのPINダイオード

      • 直流順バイアス電流により直線性の非常によい、高周波帯の可変抵抗として働く
      • Long Carrier Lifetimeを有し、混変調スプリアス特性が優れている
      • 耐圧30V
    可変抵抗減衰器 30V 5.5Ω
    • IF=10mA
    • f=50MHz
    0.7pF
    • VR=15V
    • f=1MHz
    200mW
    • RoHS対応
     

    各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用の拡散型PINダイオード

      • VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能
      • ゼロバイアスでの容量が小さく、逆バイアス依存性が非常に小さい
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い
      • 順直列抵抗が小さい
      • 送信時、受信時の波形歪みが非常に小さい(送信スプリアス<-80dBc、受信2次歪み≒-73dBc @90dBμ)
      • 耐圧180V
    高周波電力スイッチ 180V 0.65Ω
    • IF=50mA
    • f=470MHz
    1.3pF
    • VR=0V
    • f=100MHz
    500mW
    • RoHS対応
     

    各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用の拡散型PINダイオード

      • VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能
      • 零バイアスでの容量が小さく、逆バイアス依存性が非常に小さい
      • 順直列抵抗が小さい
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い
      • 送信時、受信時の波形歪みが非常に小さい
    高周波電力スイッチ 180V 0.65Ω
    • IF=50mA
    • f=470MHz
    1.6pF
    • VR=0V
    • f=100MHz
    1W
    • RoHS対応

    本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。ご使用にあたりましては、別途仕様書をご請求の上、ご確認下さい。

  • セラミックMELFパッケージ一覧
  • セラミックMELFパッケージ一覧表
    データ
    シート
    品名 概要 特長 用途 VR Rfs(typ) Ct(typ) 許容
    損失
    環境
    対応
    (パッケージ)   condition   condition
     
    • L8104
    • (3.5×2.2×2.2mm:Max)
    • (セラミック MELF)
    • セラミックMELFパッケージ

    各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオード

      • VHF、UHF帯以上での電力スイッチング
      • ゼロバイアスでの容量が小さく、逆バイアス依存性が非常に小さい
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い
      • 順直列抵抗が小さい
    高周波電力スイッチ 180V 0.5Ω
    • IF=50mA
    • f=100MHz
    0.8pF
    • VR=40V
    • f=100MHz
    3W
    • RoHS対応
    • Pbフリー
     
    • 新製品
    • L8104-240
    • (3.5×2.2×2.2mm:Max)
    • (セラミック MELF)
    • セラミックMELFパッケージ

    各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオード

      • VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能
      • 逆電流が低い
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い
      • 順直列抵抗が小さい
      • 尖頭逆電圧 240V
    高周波電力スイッチ 240V 0.5Ω
    • IF=50mA
    • f=100MHz
    1.2pF
    • VR=40V
    • f=100MHz
    3W
    • RoHS対応
    • Pbフリー
     
    • 新製品
    • L8107
    • (3.5×2.2×2.2mm:Max)
    • (セラミック MELF)
    • セラミックMELFパッケージ

    各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオード

      • VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能。
      • ゼロバイアスでの容量が小さく、逆バイアス依存性が非常に小さい。
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い。
      • 順直列抵抗が小さい。
    高周波電力スイッチ 90V 1.2Ω
    • IF=50mA
    0.4pF
    • VR=40V
    1W
    • RoHS対応
    • Pbフリー

    本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。ご使用にあたりましては、別途仕様書をご請求の上、ご確認下さい。

  • プラスチックモールドパッケージ一覧 
  • プラスチックモールドパッケージ一覧表
    データ
    シート
    品名 概要 特長 用途 VR Rfs(typ) Ct(typ) 許容
    損失
    環境
    対応
    (パッケージ)   condition   condition
     
    • L5204F
    • (2.5×1.2×0.8mm (typ))
    • (プラスティックモールド)
    • プラスチックモールドパッケージ

    各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオード

      • VHF、UHF帯以上での電力スイッチング
      • ゼロバイアスでの容量が小さく、逆バイアス依存性が非常に小さい
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い
      • 順直列抵抗が小さい
    高周波電力スイッチ 180V 0.5Ω
    • IF=50mA
    • f=100MHz
    0.6pF
    • VR=40V
    • f=100MHz
    500mW
    • RoHS対応
    • Pbフリー
    • ハロゲンフリー
     
    • L5208F
    • (1.7 x 0.9 x 0.8 mm (typ))
    • (プラスティックモールド)
    • プラスチックモールドパッケージ

    各種ポータブル無線通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオード

      • VHF、UHF帯以上での電力スイッチング
      • 順直列抵抗が小さい。
      • 端子間容量が小さい。
    高周波電力スイッチ 35V 0.45Ω
    • IF=10mA
    • f=100MHz
    0.6pF
    • VR=20V
    • f=100MHz
    300mW
    • RoHS対応
    • Pbフリー
    • ハロゲンフリー
     
    • 新製品
    • L5206F
    • (1.7 x 0.9 x 0.5mm (typ))
    • (プラスティックモールド)
    • プラスチックモールドパッケージ

    各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオード

      • 順直列抵抗が小さい
      • インサーションロスが少ない
      • 端子間容量が小さい
      • アイソレーションが高い
      • RoHS対応
      • Pb フリー / ハロゲンフリー
    高周波電力スイッチ 180V 1.0Ω
    • IF=50mA
    • f=100MHz
    0.15pF
    • VR=40V
    • f=100MHz
    300mW
    • RoHS対応
    • Pbフリー
    • ハロゲンフリー

本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。ご使用にあたりましては、別途仕様書をご請求の上、ご確認下さい。