PIN ダイオード製品一覧

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    データ
    シート
    品名 概要 特長 用途 VR Rfs(typ) Ct(typ) 許容
    損失
    環境
    対応
    (パッケージ)   condition   condition
     

    各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオード

      • VHF、UHF帯以上での電力スイッチング
      • ゼロバイアスでの容量が小さく、逆バイアス依存性が非常に小さい
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い
      • 順直列抵抗が小さい
    高周波電力スイッチ 180V 0.5Ω
    • IF=50mA
    • f=100MHz
    1.2pF(max)
    • VR=40V
    • f=100MHz
    3W
    • RoHS対応
    • Pbフリー
     

    各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオード

      • VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能
      • 逆電流が低い
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い
      • 順直列抵抗が小さい
      • 尖頭逆電圧 240V
    高周波電力スイッチ 240V 0.5Ω
    • IF=50mA
    • f=100MHz
    1.2pF(max)
    • VR=40V
    • f=100MHz
    3W
    • RoHS対応
    • Pbフリー
     

    各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオード

      • VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能。
      • ゼロバイアスでの容量が小さく、逆バイアス依存性が非常に小さい。
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い。
      • 順直列抵抗が小さい。
    高周波電力スイッチ 90V 1.2Ω
    • IF=50mA
    0.4pF
    • VR=40V
    1W
    • RoHS対応
    • Pbフリー
     
    • 新製品
    • L8104A-240
    • (3.5×2.2×2.2mm:Max)
    • (セラミック MELF)
    • セラミックMELFパッケージ

    各種無線通信器機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたPINダイオード

      • VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能
      • 逆電流が小さい
      • 順直列抵抗が小さい
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い
      • ハーメチックセラミックMELFパッケージ
      • RoHS2 対応
      • Pb フリー
    高周波電力スイッチ 240V 0.3Ω
    • IF=50mA
    • f=100MHz
    1.2pF(max)
    • VR=40V
    3W
    • RoHS対応
    • Pbフリー
     
    • 新製品
    • L8104A
    • (3.5×2.2×2.2mm:Max)
    • (セラミック MELF)
    • セラミックMELFパッケージ

    各種無線通信器機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたPINダイオード

      • VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能
      • 逆電流が小さい
      • 順直列抵抗が小さい
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い
      • ハーメチックセラミックMELFパッケージ
      • RoHS2 対応
      • Pb フリー
    高周波電力スイッチ 180V 0.3Ω
    • IF=50mA
    • f=100MHz
    1.2pF(max)
    • VR=40V
    • f=100MHz
    3W
    • RoHS対応
    • Pbフリー

    本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。ご使用にあたりましては、別途仕様書をご請求の上、ご確認下さい。

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    データ
    シート
    品名 概要 特長 用途 VR Rfs(typ) Ct(typ) 許容
    損失
    環境
    対応
    (パッケージ)   condition   condition
     

    各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオード

      • VHF、UHF帯以上での電力スイッチング
      • ゼロバイアスでの容量が小さく、逆バイアス依存性が非常に小さい
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い
      • 順直列抵抗が小さい
    高周波電力スイッチ 180V 0.5Ω
    • IF=50mA
    • f=100MHz
    0.9pF(max)
    • VR=40V
    • f=100MHz
    500mW
    • RoHS対応
    • Pbフリー
    • ハロゲンフリー
     
    • L5208F
    • (1.7 x 0.9 x 0.8 mm (typ))
    • (プラスティックモールド)
    • プラスチックモールドパッケージ

    各種ポータブル無線通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオード

      • VHF、UHF帯以上での電力スイッチング
      • 順直列抵抗が小さい。
      • 端子間容量が小さい。
    高周波電力スイッチ 35V 0.45Ω
    • IF=10mA
    • f=100MHz
    0.9pF(max)
    • VR=20V
    • f=100MHz
    300mW
    • RoHS対応
    • Pbフリー
    • ハロゲンフリー
     

    各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオード

      • 順直列抵抗が小さい
      • インサーションロスが少ない
      • 端子間容量が小さい
      • アイソレーションが高い
      • RoHS対応
      • Pb フリー / ハロゲンフリー
    高周波電力スイッチ 180V 1.0Ω
    • IF=50mA
    • f=100MHz
    0.15pF
    • VR=40V
    • f=100MHz
    300mW
    • RoHS対応
    • Pbフリー
    • ハロゲンフリー
     

    各種無線通信器機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたPINダイオード

      • VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い
      • 順直列抵抗が小さい
      • 端子間容量が小さい
      • 面実装タイプのプラスティックモールドパッケージ
      • RoHS 対応
      • Pb フリー / ハロゲンフリー
    各種通信機器の送受信アンテナ切替回路 180V 0.4Ω
    • IF=50mA
    • f=100MHz
    0.6pF
    • VR=40V
    • f=100MHz
    1W
    • RoHS対応
    • Pbフリー
    • ハロゲンフリー
     
    • 新製品
    • L9210F
    • (3.5 x 1.6 x 0.5mm (typ))
    • (プラスティックモールド)
    • プラスチックモールドパッケージ

    各種無線通信器機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたPINダイオード

      • 高周波の電力スイッチングが可能
      • 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い
      • 順直列抵抗が小さい
      • 端子間容量が小さい
      • 面実装タイプのプラスティックモールドパッケージ
      • RoHS2 対応
      • Pbフリー/ハロゲンフリー
    各種通信機器の送受信アンテナ切替回路 180V 0.3Ω
    • IF=50mA
    • f=100MHz
    1.1pF(max)
    • VR=40V
    • f=100MHz
    1W
    • RoHS対応
    • Pbフリー
    • ハロゲンフリー

本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。ご使用にあたりましては、別途仕様書をご請求の上、ご確認下さい。